买卖IC网 >> 产品目录 >> 935132429733-T3N 硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu datasheet 半导体模块
型号：

935132429733-T3N

库存数量：可订货
制造商：IPDiA
描述：硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 半导体模块 >> 硅电容器
描述 硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
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制造商 IPDiA
电容 3.3 uF
容差 15 %
电压额定值 11 V
温度系数 1 %
工作温度范围 - 55 C to + 200 C
封装 / 箱体 1812
外壳高度 0.4 mm
系列 HTSC
类型
相关资料
属性
链接
代理商 935132429733-T3N
935-4
935480320616-T2S
935480320626-T2S
9-3557-GPREVA
935C1W10K-F
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  • 935132429733-T3N 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 33.81 33810